Тип транзистора: MOSFET;
Полярность: N;
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 43Вт;
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800В;
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30В;
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 5В;
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2,2;
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150°C;
Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 19nC;
tr ⓘ - Время нарастания: 45ns;
Cossⓘ - Выходная емкость: 75pf;
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 3,6Ом.